�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ(x��n)�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
STL220N6F7
- STMicroelectronics��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 100��
- ԭ�b��Ʒ��
-
STL220N6F7 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
- PDF�ļ���С��744.6 Kbytes
- PDF�ļ��(y��)��(sh��)����13�(y��)
- ������High avalanche ruggedness
STL220N6F7���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:STMicroelectronics
- �a(ch��n)Ʒ�N�(l��i):MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:PowerFLAT-5x6-8
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:60 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:260 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:1.2 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:100 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 175 C
- Pd-���ʺ�ɢ:187 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:STripFET
- ϵ��:STL220N6F7
- ���w���(l��i)��:1 N-Channel
- �̘�(bi��o):STMicroelectronics
- �½��r(sh��)�g:38ns
- �a(ch��n)Ʒ�(l��i)��:MOSFET
- �����r(sh��)�g:43 ns
- ���S(ch��ng)���b��(sh��)��:3000
- ���(l��i)�e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:66 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:34 ns
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ(x��n)�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ(x��n)�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
STL220N6F7���P(gu��n)��̖(h��o)
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
